PVD物理氣相沉積是一種物理氣相反應生長法。沉積過程是在真空或低氣壓氣體放電條件下，即在低溫等離子體中進行的。涂層的物質(zhì)源是固態(tài)物質(zhì)，經(jīng)過“蒸發(fā)或濺射”后，在零件表面生成與基材性能完全不同的新的固體物質(zhì)涂層。

1、真空的定義

泛指低于一個大氣壓的氣體狀態(tài)。與普通大氣壓狀態(tài)相比，分子密度較為稀薄，從而氣體分子和氣體分子、氣體分子和器壁之間的碰撞幾率要低一些。

2、真空蒸發(fā)鍍膜的定義

真空蒸發(fā)鍍膜是在真空條件下，用蒸發(fā)器加熱蒸發(fā)物質(zhì)使之汽化，蒸發(fā)粒子流直接射向基片并在基片上沉積形成固態(tài)薄膜的技術。包括熱蒸發(fā)和EB蒸發(fā)（電子束蒸發(fā)）。

3、真空蒸發(fā)鍍膜主要過程

1）采用各種能源方式轉(zhuǎn)成熱能，加熱膜材使之蒸發(fā)或升華，成為具有一定能量的氣態(tài)粒子（原子、分子和原子團）；

2）離開膜材表面，具有相當運動速度的氣態(tài)粒子以基本上無碰撞的直線飛行輸運到基體表面；

3）到達基體表面的氣態(tài)粒子凝聚形成核后生長成固相薄膜；

4）組成薄膜的原子重組排列或產(chǎn)生化學鍵合。

4、熱蒸發(fā)原理及特點

熱蒸發(fā)是在真空狀況下，將所要蒸鍍的材料利用電阻加熱達到熔化溫度，使原子蒸發(fā)，到達并附著在基板表面上的一種鍍膜技術。

特點：裝置便宜、操作簡單廣泛用于Au、Ag、Cu、Ni、In、Cr等導體材料。

5、E-Beam蒸發(fā)原理

熱電子由燈絲發(fā)射后，被加速陽極加速，獲得動能轟擊到處于陽極的蒸發(fā)材料上，使蒸發(fā)材料加熱氣化，而實現(xiàn)蒸發(fā)鍍膜。

特點：多用于要求純度極高的膜、絕緣物的蒸鍍和高熔點物質(zhì)的蒸鍍

6、真空蒸發(fā)鍍膜特點

1）優(yōu)點

設備簡單、操作容易

薄膜純度高，質(zhì)量好，厚度可控

速率快、效率高、可用掩膜獲得清晰圖形

薄膜生長機理比較單純

2）缺點

不易獲得結晶結構的薄膜

薄膜與基片附著力小

工藝重復性不夠好

3）主要部分

真空室

為蒸發(fā)提供必要的真空

蒸發(fā)源和蒸發(fā)加熱器

放置蒸發(fā)材料并對其進行加熱

基板

用于接收蒸發(fā)物質(zhì)并在其表面形成固體蒸發(fā)薄膜

基板加熱器

測溫器